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| 介绍一种区熔掺杂方法 | |
| 引用本文： | 黎德明.介绍一种区熔掺杂方法[J].湖南有色金属,1990(5). |
| 作者姓名： | 黎德明 |
| 作者单位： | 长沙半导体材料厂 |
| 摘 要： | 一般说来,通过涂P_2O_5溶液生产区熔单晶的主要缺点是纵向电阻率范围较大和掺杂的重现性较小。特别是在中心电阻率较高的情况下更是如此。例如目标电阻率为80—100Ω·cm的区熔晶体一般需用中子辐照方法掺杂。它的主要优点是重现性几乎达100％,纵向电阻率范围窄。一般情况下,电阻率范围为±10Ω·cm,较好的情况可达±5Ω·cm。但它也存在生产周期长这一主要缺点,从晶体拉制后算起,到退火完毕,需要1个月左 |
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