| 氮化铝陶瓷直接覆铜技术 |
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| 引用本文： | 黄岸兵,崔嵩,张浩. 氮化铝陶瓷直接覆铜技术[J]. 电子元件与材料, 1999, 18(5): 31-31,33 |
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| 作者姓名： | 黄岸兵 崔嵩 张浩 |
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| 作者单位： | 信息产业部第43研究所,安徽,合肥,230031 |
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| 摘 要： | 研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ 陶瓷基板作表面氧化处理， 然后在１ ０６３～１ ０７０℃下， 氮气氛中煅烧， 使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２ Ｐａ， 厚度为０．１～０．５ ｍ ｍ ， 最大基板面积可达５０ ｍ ｍ ×５０ ｍ ｍ
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| 关 键 词： | 氮化铝陶瓷 覆铜基板 过渡层 表面处理 |
| 文章编号： | ：1001-2028(1999)05-0031－01 |
Technology for Directly Bonding Copper on AlN |
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| HUANG An-bing,CUI Song,ZHANG Hao. Technology for Directly Bonding Copper on AlN[J]. Electronic Components & Materials, 1999, 18(5): 31-31,33 |
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| Authors: | HUANG An-bing CUI Song ZHANG Hao |
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| Abstract: | ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS (China) ,Vol.18,No.5,P.31,33(Oct.1999).In Chinese. Directly bonding copper (DBC)on AIN substrate is a new technology based on the technology for directly bonding copper on Al 2O 3 substrates.When AIN substrates surface is pre oxidized,in the nitrogen atmosphere,at 1 063～1 070℃,copper foil may naturally formed on the AIN substrates.The peel strength is up to 853 2 Pa,thickness 0 1～0 5 mm and the maximum substrates area 50 mm×50 mm.(3refs.) |
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| Keywords: | AIN AIN DBC transition layer surface finish |
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