| 掺杂ZnO功能薄膜研究新进展 |
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| 引用本文： | 艾常涛,李珍. 掺杂ZnO功能薄膜研究新进展[J]. 材料导报, 2005, 19(5): 7-10 |
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| 作者姓名： | 艾常涛 李珍 |
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| 作者单位： | 中国地质大学材化学院,武汉,430074;中国地质大学材化学院,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 结合当前掺杂ZnO功能薄膜的制备方法、工艺条件,综述了不同掺杂元素对ZnO薄膜的结构、电学、光学性能、气敏特性以及应用领域等方面的影响,并展望了ZnO功能薄膜的发展趋势.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 掺杂 特性 禁带宽度 |
Advances in Research on Doping ZnO Film |
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| AI Changtao,LI Zhen. Advances in Research on Doping ZnO Film[J]. Materials Review, 2005, 19(5): 7-10 |
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| Authors: | AI Changtao LI Zhen |
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| Abstract: | According to the preparing method and technical condition of zinc oxide functional thin films,the effects of different dopants on structure,electric characteristics,optical characteristics,gas-sensitive properties and application field of ZnO thin film are summarized in this paper.Finally,the future development is forecasted. |
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| Keywords: | ZnO thin film doping property band gap |
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