| 非晶硅薄膜上碘化汞多晶薄膜的生长及其性能 |
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| 引用本文： | 郑耀明,史伟民,魏光普,秦娟,徐环. 非晶硅薄膜上碘化汞多晶薄膜的生长及其性能[J]. 真空科学与技术学报, 2008, 28(5) |
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| 作者姓名： | 郑耀明 史伟民 魏光普 秦娟 徐环 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院,上海,200072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，上海市科委资助项目，上海市科学技术委员会专项基金重点项目，上海市重点学科建设项目 |
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| 摘 要： | 采用改进后的带有真空活塞的热壁物理气相沉积装置在非晶硅薄膜上制备HgI2多晶薄膜,使薄膜生长的操作过程更加简单安全.用边抽真空边生长薄膜的方式,可以获得较大的生长速率.通过改变不同的沉积参数,对获得的薄膜,采用XRD、SEM、I-V特性以及电容频率特性等手段对其进行表征,结果表明,获得了沿<001>晶向柱状生长且晶粒大小均匀、电阻率为2.5×1011Ω·cm、相对介电常数为5.53的薄膜.
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| 关 键 词： | 多晶 碘化汞 非晶硅 物理气相沉积 |
Growth and Characterization of Polycrystalline HgI2 Films on Amorphous-Si Film Substrate |
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| Zheng Yaoming,Shi Weimin,Wei Guangpu,Qin Juan,Xu Huan. Growth and Characterization of Polycrystalline HgI2 Films on Amorphous-Si Film Substrate[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2008, 28(5) |
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| Authors: | Zheng Yaoming Shi Weimin Wei Guangpu Qin Juan Xu Huan |
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