| AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究 |
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| 引用本文： | 谢自力,张荣,江若琏,刘斌,龚海梅,赵红,修向前,韩平,施毅,郑有炓.AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究[J].功能材料,2008,39(5):727-729. |
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| 作者姓名： | 谢自力 张荣 江若琏 刘斌 龚海梅 赵红 修向前 韩平 施毅 郑有炓 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学,物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093
2. 中国科学院,上海技术物理研究所,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家自然科学基金
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教育部科学技术研究项目
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教育部高等学校博士学科点专项科研基金 |
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| 摘 要： | 用MOCVD 技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格材料.研究了AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性. 结果表明,缓冲层材料和结构对AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响.AFM研究表明利用GaN做支撑层生长的AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格材料是一种准二维生长模式.XRD和SEM研究表明研制的材料表面平整、界面清晰、并且材料具有完整的周期重复性.利用紫外-可见光谱仪反射谱研究表明研制的30对AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格材料在中心波长为313nm的紫外波段具有93.5%的反射率.
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| 关 键 词： | MOCVD 超晶格 AlxGa1-xN/AlN |
| 文章编号： | 1001-9731(2008)05-0727-03 |
| 修稿时间： | 2007年10月19 |
The study of the characteristics of the AlxGa1-xN/AlN superlattice |
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| XIE Zi-li,ZHANG Rong,JIANG Ruo-lian,LIU Bin,GONG Hai-mei,ZHAO Hong,XIU Xiang-qian,HAN Ping,SHI Yi,ZHENG You-dou.The study of the characteristics of the AlxGa1-xN/AlN superlattice[J].Journal of Functional Materials,2008,39(5):727-729. |
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| Authors: | XIE Zi-li ZHANG Rong JIANG Ruo-lian LIU Bin GONG Hai-mei ZHAO Hong XIU Xiang-qian HAN Ping SHI Yi ZHENG You-dou |
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