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电子元件、组件
摘    要:TN60 00010561高场强下铝阳极氧化膜中相关元素的分布及其介电性能/袁战恒,孙海君,徐友龙,曹婉真(西安交通大学)It电子元件与材料.一1999,18(4)一11一12,15利用俄歇电子能谱仪(AES)分析了高场强下不同条件形成的阳极氧化膜中相关元素的分布,分析表明膜中不同程度存在B、C、P等相关元素.测试其相应的介电性能表明氧铝比R(O:AI)接近于1.5时其介电性能较好.图5表3参4(许)电子元件与材料.一1 999,18(4)一34一4()根据多层瓷介电容器的结构特征,全而概括了“独石”结构广泛应用于片式元件设计与制造的新趋势,重点论述了多层压敏电阻器,多层…

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