|
|||||
|
|
| 快速低阻功率开关MOSFET | |
| 引用本文： | 荣莹.快速低阻功率开关MOSFET[J].微电子技术,2000(5). |
| 作者姓名： | 荣莹 |
| 摘 要： | 飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为２００Ｖ的功率ＭＯＳ－ＦＥＴ器件。这种“硅ＭＡＸ”器件采用沟槽ＭＯＳ工艺，兼有大功耗和快速开关速度的性能，其１００－２００Ｖ的额定电压来源于ＤＭＯＳ功率ＭＯＳＦＥＴ。这种新器件在开关型功率源，ＤＣ／ＤＣ转换器以及负载开关应用方面，特别具有吸引力。 新的功率ＭＯＳＦＥＴ的低开态电阻是利用大量制作在硅芯片上的小ＭＯＳＦＥＴ单元并联获得的。在给定硅片上，由于减小了单元的尺寸，增加了单元了数目，从而降低了开态电阻。但单元间距离变近，使单元之间产生相互… |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |