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| 用镶嵌工艺制作金属/高k晶体管 | |
| 引用本文： | 石松.用镶嵌工艺制作金属/高k晶体管[J].微电子技术,2000(5). |
| 作者姓名： | 石松 |
| 摘 要： | 东芝公司的研究人员认为，２ｍｍ以下的薄栅介质是开发高性能晶体管的最佳材料。这意味着栅材料从现在采用的重掺杂多晶硅栅和ＳｉＯ２栅氧化层向金属栅和高ｋ栅介质材料发展。 金属栅与多晶硅栅相比，其优点是不受栅耗尽效应的影响。高ｋ介质的优点是介质材料具有较高的介质常数（ｋ值）以及较低的隧道电流密度。同时，由于它们具有较大的电容，所以在相似的电特性下，能淀积的膜层厚度比二氧化硅膜厚。高ｋ材料包括Ｔａ氧化层、Ｔｉ氧化层、Ｚｒ氧化层以及Ｈｆ氧化层。 促使开发镶嵌栅工艺的一个因素是用反应离子刻蚀薄栅氧化层图形太难，… |
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