直流溅射RFe_2(R=La,Ce,Pr,Nd,Sm,MM)非晶薄膜的磁化强度和磁各向异性的温度关系

用转矩磁强计和磁秤研究了直流溅射RFe_2(R: La,Ce,Pr,Nd,Sm,MM)非晶薄膜的饱和磁化强度M_s和平行膜面的单轴磁各向异性K_u的温度关系,以及等温退火对M_s和K_u的影响。RFe_2非晶膜的M_s和K_u值大致与T~(3/2)成正比,K_u与M_s成线性关系,而不与M_s~2成正比。不同膨胀系数的金属铝和玻璃作基片的非晶膜具有近似的M_s和K_u值,以及类似的温度关系。50℃等温退火一小时,非晶膜中产生明显的结构弛豫现象,使M_s和K_u明显增加。随后退火温度增加,M_s和K_u下降至一个最低值。晶化开始后,M_s和K_u~◥又迅速增加。根据上述实验结果,我们认为溅射非晶膜中平行膜面的单轴磁各向异性主要由非晶中存在的“伪晶”所贡献。