| 基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性 |
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| 引用本文： | 杨潇楠,王永,张满红,张博,刘明.基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性[J].半导体技术,2011,36(6):421-424. |
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| 作者姓名： | 杨潇楠 王永 张满红 张博 刘明 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,北京100029;上海宏力半导体制造有限公司,上海201203;中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029;上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(2010CB934200); 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA031403) |
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| 摘 要： | 硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。
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| 关 键 词： | 硅纳米晶 非挥发存储器 存储特性 耐受性 数据保持 |
Fabrication and Storage Characteristics of Si-Nanocrystal Nonvolatile Memories |
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| Yang Xiaonan,Wang Yong,Zhang Manhong,Zhang Bo,Liu Ming.Fabrication and Storage Characteristics of Si-Nanocrystal Nonvolatile Memories[J].Semiconductor Technology,2011,36(6):421-424. |
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| Authors: | Yang Xiaonan Wang Yong Zhang Manhong Zhang Bo Liu Ming |
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| Affiliation: | Yang Xiaonan1,2,Wang Yong1,Zhang Manhong1,Zhang Bo 2,Liu Ming1(1.Key Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technology,Institute of Microelectronics,Chinese Academy ofSciences,Beijing 100029,China,2.Grace Semiconductor Manufacture Corporation,Shanghai 201203,China) |
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| Abstract: | Si nanocrystal nonvolatile memories(NVM) have received considerable research interests due to their excellent performances and high compatibility with conventional process.The growth of Si-NCs followed a two-step low pressure chemical vapor deposition(LPCVD) process,which has the advantages of high density and controllability,most important,and it is totally compatible with CMOS process.Based on this,a four terminals nonvolatile memory was fabricated.This device exhibits excellent memory characteristics,inc... |
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| Keywords: | Si nanocrystal(Si-NC) non-volatile memory storage characteristics endurance data retention |
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