| HfO2在CHF3,Ar和H2的感应耦合等离子体中的刻蚀行为 |
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| 引用本文： | 辛煜,宁兆元,叶超,许圣华,甘肇强,黄松,陈军,狄小莲. HfO2在CHF3,Ar和H2的感应耦合等离子体中的刻蚀行为[J]. 真空科学与技术学报, 2004, 24(4): 309-312 |
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| 作者姓名： | 辛煜 宁兆元 叶超 许圣华 甘肇强 黄松 陈军 狄小莲 |
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| 作者单位： | 苏州大学物理科学与技术学院,江苏省薄膜材料重点实验室,苏州,215006 |
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| 摘 要： | 通过改变偏压功率和气体气压的宏观条件,利用CHF3,Ar和H2的感应耦合等离子体(ICP)对HfO2和RZJ-306光刻胶进行了刻蚀选择性实验研究.结果表明,HfO2与等离子体化学相互作用的刻蚀产物属于非挥发性的,容易造成边墙的堆积而形成"驼峰"形,因而需要借助于Ar 的辅助轰击来消除边墙堆积,典型的HfO2/光刻胶的刻蚀选择比在0.2～0.5之间.在射频源功率400 W、气压0.5 Pa、射频偏压-400 V、流量比为Ar∶CHF3∶H2=40 sccm∶18 sccm∶2 sccm的优化条件下,利用感应耦合等离子体刻蚀特性,对光刻胶作为掩膜的HfO2/BK7玻璃进行刻蚀,扫描电镜的测试结果表明,光栅的图形转移效果较好.红外激光波长为1064 nm时,所测得的光栅二级衍射效率在71%以上.
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| 关 键 词： | 感应耦合等离子体 刻蚀选择性 光刻胶 衍射光栅 |
| 文章编号： | 1672-7126(2004)04-0309-04 |
| 修稿时间： | 2003-11-28 |
Etching of HfO2 with Inductively Coupled Plasma of CHF3,Ar,and H2 |
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| Xin Yu ,Ning Zhaoyuan,Ye Chao,Xu Shenghua,Gan Zhaoqiang,Huang Song,Chen Jun and Di Xiaolian. Etching of HfO2 with Inductively Coupled Plasma of CHF3,Ar,and H2[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2004, 24(4): 309-312 |
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| Authors: | Xin Yu Ning Zhaoyuan Ye Chao Xu Shenghua Gan Zhaoqiang Huang Song Chen Jun Di Xiaolian |
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| Affiliation: | Xin Yu *,Ning Zhaoyuan,Ye Chao,Xu Shenghua,Gan Zhaoqiang,Huang Song,Chen Jun and Di Xiaolian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HfO2 |
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