带有阈值电压的非线性忆容器混合建模与特性分析

忆容器是在电感、电容和电阻基本电路元件之后出现的新型电路元件，因其具有非易失性和非线性特点，在众多领域中具有广泛的应用前景。为了使忆容器模型更接近实际忆容器和方便与其他二端口电路元件连接，通过引入阈值电压的方法改进了忆容器荷控数学模型，并利用Simscape和Simulink相结合的混合建模方法建立了带有阈值电压的忆容器二端口仿真模型。通过仿真实验分析了触发电压的幅值和频率对该仿真模型磁滞回线的影响。结果表明，建立的仿真模型符合忆容器的基本特性，即磁滞回线随电压幅值的增大逐渐变宽，随电压频率的增加逐渐变窄。该模型可为以后忆容器的应用研究和仿真研究奠定基础。