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| 掺P、B对纳米Zn—0薄膜电学特性的影响 | |
| 作者姓名： | 王文青 宋淑芳 等 |
| 作者单位： | [1]中国兵器工业第五二研究所，内蒙古包头014034 [2]中国科学院半导体研究所，北京100083 |
| 摘 要： | 现在普遍采用ＩＴＯ薄膜 (Ｉｎ2 Ｏ3 ∶Ｓｎ)作为太阳电池的窗口材料 ,但由于Ｉｎ资源的稀缺 ,使太阳能电池的成本增加。Ｚｎ Ｏ是一种低成本材料 ,具有良好的电学、光学特性 ,因此可代替ＩＴＯ薄膜作为窗口材料。由于ＺｎＯ ｎ Ｓｉ异质结太阳电池的转化效率为6 9%～ 8 5 % ,而ＩＴＯ光电转换效率为 12 %～ 15 % ,采用液态源掺杂方法 ,取得较好效果 ,证实了掺Ｐ、Ｂ对纳米ＺｎＯ薄膜提高导电性是有效的。本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺Ｐ、Ｂ随热处理温度的变化对纳米Ｚｎ Ｏ薄膜电学特性的影响。在研制过程中 ,对掺入Ｐ、Ｂ的纳… |
| 关 键 词： | 纳米Zn－O薄膜 电学特性 掺硼 纳米氧化锌薄膜 掺磷 |
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