| 中子辐照掺氮6H-SiC晶体的电学性能及退火的影响 |
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| 引用本文： | 陈敬,阮永丰,李连刚,祝威,王鹏飞,侯贝贝,王帅. 中子辐照掺氮6H-SiC晶体的电学性能及退火的影响[J]. 硅酸盐学报, 2013, 41(6) |
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| 作者姓名： | 陈敬 阮永丰 李连刚 祝威 王鹏飞 侯贝贝 王帅 |
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| 作者单位： | 1. 天津大学理学院,天津,300072
2. 天津商业大学理学院,天津,300134 |
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| 摘 要： | 在60～80℃用剂量为1.67×1020n/cm2的全能谱中子对掺氮6H-SiC晶体进行了辐照,对辐照样品从室温至1600℃进行了等时退火,研究了辐照和退火对样品电学性能的影响.大剂量中子辐照在晶体内产生了大量缺陷和损伤,并引起样品的电学性能发生变化,使电阻率升高、介电常数和介电损耗减小.测试表明:在辐照缺陷及其电学性能的退火演化过程中,存在约为1 000和1400℃两个特征温度.当退火温度低于1 000℃时,随着退火温度的升高,电阻率小幅增加,而介电常数和介电损耗亦下降；在退火温度高于1 000℃时,电阻率开始下降.在退火温度高于1 400℃时,电阻率急剧地下降,而介电常数和介电损耗快速地增加.以间隙原子和空位为缺陷的主要形式作为辐照损伤的模型,对上述现象做了定性解释.测试还表明,掺氮6H-SiC的介电常数高达3.5 x 104,这一奇特的物性主要来源于电子的长程迁移极化.
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| 关 键 词： | 掺氮碳化硅晶体 中子辐照 退火 电阻率 介电性能 |
Electrical Properties and Annealing Behavior of Nitrogen Doped 6H-SiC Crystals Irradiated by Heavy Neutron |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nitrogen doped silicon carbide crystal neutron irradiation annealing resistivity,dielectric property |
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