| 物理气相传输法制备大面积AlN单晶 |
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| 引用本文： | 齐海涛,洪颖,王香泉,王利杰,张志欣,郝建民. 物理气相传输法制备大面积AlN单晶[J]. 硅酸盐学报, 2013, 41(6) |
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| 作者姓名： | 齐海涛 洪颖 王香泉 王利杰 张志欣 郝建民 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
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| 摘 要： | 以自制[0001]正晶向sic衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 nm、厚度700 μm的AlN单晶层.介绍了晶体生长系统和生长工艺条件；分析了样品的相组成和形貌.结果表明:样品中SiC-AlN界面明晰,AlN单晶层透明、形貌平整,具有微台阶表面特征.Raman光谱和X射线衍射测试显示该层结晶性好,无杂质相,为典型的2H单晶晶型,生长面为标准的c面正晶向.
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| 关 键 词： | 氮化铝单晶 物理气相传输法 碳化硅籽晶 |
Physical Vapor Transport Growth of Large Area AlN Single Crystal |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | aluminum nitride single crystal physical vapor transport silicon carbide seed |
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