| Bi和Nd共掺CsI晶体近红外宽带发光性能 |
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| 引用本文： | 范晓,苏良碧,徐军,蒋先涛.Bi和Nd共掺CsI晶体近红外宽带发光性能[J].硅酸盐学报,2013,41(6). |
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| 作者姓名： | 范晓 苏良碧 徐军 蒋先涛 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,透明光功能无机材料重点实验室,上海 201899 |
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| 摘 要： | 采用坩埚下降法生长了Bi和Nd共掺的CsI晶体.X射线衍射分析表明,Bi和Nd共掺并不影响晶体结构,其空间群为Pm3m.通过测试晶体的实际掺杂浓度发现,共掺导致了Bi掺杂浓度的降低.对晶体进行退火处理,并测试了晶体的吸收光谱和发射光谱.结果表明:Bi和Nd共掺能够提高晶体中带电子色心V'Cs的浓度,经高温退火后能获得较多的低价态的Bi离子发光团簇,从而提高了晶体的近红外宽带发光性能.晶体的Raman 光谱显示,掺Bi的CsI晶体近红外宽带发光中心的2个特征Raman峰分别位于164和176 cm-1处.此外,还提出CsI晶体中发光中心Bi+和低价态团簇Bi2+的形成离不开高价态Bi离子的靠拢团聚作用.
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| 关 键 词： | 碘化铯晶体 近红外发光 铋 钕 共掺 |
Near-infrared Broadband Luminescence Properties of Bi and Nd Co-doped CsI Crystals |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | cesium iodide crystal near-infrared luminescence bismuth neodymium co-doping |
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