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| 低Sc含量BZSPTx高温压电陶瓷的结构和介温特性 | |
| 引用本文： | 石维,祝娅,肖定全,朱建国.低Sc含量BZSPTx高温压电陶瓷的结构和介温特性[J].硅酸盐学报,2013,41(4):427-431. |
| 作者姓名： | 石维 祝娅 肖定全 朱建国 |
| 作者单位： | 1. 铜仁学院物理与电子科学系,贵州铜仁554300;四川大学材料科学与工程学院,四川成都610064 2. 铜仁学院物理与电子科学系,贵州铜仁,554300 3. 四川大学材料科学与工程学院,四川成都,610064 |
| 基金项目： | 贵州省人事厅项目，贵州省科技厅项目，贵州省黔财教项目 |
| 摘 要： | 为了降低BiScO3–PbTiO3高温压电陶瓷的成本,采用传统固相反应制备了低Sc含量的(1–x)(0.15BiScO3–0.85PbTiO3)–xBi(Zn1/2Ti1/2)O3(BZSPTx,x为摩尔分数)高温压电陶瓷,用X射线衍射、扫描电子显微镜和介温性能测试表征样品的微观结构、物相,结果显示:当x=0.075～0.125,BZSPTx陶瓷具有单一四方相钙钛矿结构,同时BZSPTx体系具有较大的四方畸变度(c/a>1.1)。介温性能测试表明BZSPTx体系可获得高于PbTiO3陶瓷的Curie温度(TC>520℃),其介温特性依赖于四方畸变程度;当Bi(Zn1/2Ti1/2)O3含量x为0.075时,BZSPTx陶瓷体系获得最大压电活性(d33=76 pC/N),同时具有较高的Curie温度(TC=536℃),该材料体系有望在航空航天、石油勘探和民用等领域的高温压电传感器中得到应用。 |
| 关 键 词： | 变温压电陶瓷 Curie温度 四方畸变 介温特性 钙钛矿 |
Structure and Dielectric Temperature Characteristic of High Temperature BZSPTx Piezoelectric Ceramics with Low Sc Content |
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| SHI Wei,ZHU Ya,XIAO Dingquan,ZHU Jianguo.Structure and Dielectric Temperature Characteristic of High Temperature BZSPTx Piezoelectric Ceramics with Low Sc Content[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2013,41(4):427-431. | |
| Authors: | SHI Wei ZHU Ya XIAO Dingquan ZHU Jianguo |
| Affiliation: | 1.Department of Physics and Electronic,College of Tongren,Tongren 554300,Guizhou,China;2.College of Materials Science and Engineering,Sichuan University,Chengdu 610064,China) |
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| Keywords: | |
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