| Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性 |
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| 引用本文： | 时文华,罗丽萍,赵雷,左玉华,王启明. Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性[J]. 半导体学报, 2006, 27(13): 136-139 |
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| 作者姓名： | 时文华 罗丽萍 赵雷 左玉华 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083 |
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| 摘 要： | 通过X射线双晶衍射、光致发光谱等手段，系统研究了Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性. 研究表明：退火过程中纳米岛区的Ge/Si原子互扩散作用比浸润层区强烈；并且随着退火时间增加，这种互扩散作用加大，晶体质量下降，影响材料性能. 而在800℃退火12s，材料保持了较小的Ge/Si原子互扩散水平和较高的晶体质量，并且经硼离子注入后的样品在这一条件退火后，超过50%的杂质原子可被激活.
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| 关 键 词： | Si Ge 纳米岛 退火 离子注入 |
Rapid Thermal Annealing Characteristics of the Ge/Si(001)Nano-Island Multilayer |
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| Shi Wenhu,Luo Liping,Zhao Lei,Zuo Yuhua and Wang Qiming. Rapid Thermal Annealing Characteristics of the Ge/Si(001)Nano-Island Multilayer[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(13): 136-139 |
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| Authors: | Shi Wenhu Luo Liping Zhao Lei Zuo Yuhua Wang Qiming |
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| Affiliation: | State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si Ge nano-island annealing ion implant |
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