| 逸出功测试与GaAs光电发射材料的激活 |
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| 引用本文： | 郭太良,王树程.逸出功测试与GaAs光电发射材料的激活[J].功能材料,1994,25(6):529-532. |
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| 作者姓名： | 郭太良 王树程 |
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| 作者单位： | 福州大学电子科学与应用物理系 |
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| 摘 要： | 采用铯氧多次交替激活可获得积分灵敏度高达１７００μＡ／ｌｍ、逸出功低至１．２～１．３ｅＶ的负电子亲和势ＧａＡｓ光电发射材料。本文介绍了ＧａＡｓ光电材料的激活系统及其逸出功测试系统，叙述了艳氧多次交替激活工艺，给出了激活过程中灵敏度与逸出功的变化曲线，分析了ＧａＡｓ光电材料导带上内光电子波函数的透射系数与逸出功之间的关系，最后讨论了逸出功测试在高性能ＧａＡｓ光电材料制备过程中的作用。
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| 关 键 词： | 光电材料 砷化镓 光电发射 逸出功 激活 |
Work Function Measurement and the Activation Treatment of GaAs Photoemissive Material |
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| Guo Tailiang, Wang Shucheng, Lin Ququ, Huang Zhenwu, Gao Huairong.Work Function Measurement and the Activation Treatment of GaAs Photoemissive Material[J].Journal of Functional Materials,1994,25(6):529-532. |
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| Authors: | Guo Tailiang Wang Shucheng Lin Ququ Huang Zhenwu Gao Huairong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | work function photoemission activation photoemission sensitivity transmissivity |
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