金属氧化物多层膜晶体硅太阳电池的背场研究 |
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引用本文: | 林文杰,吴伟梁,包杰,刘宗涛,梁宗存,沈辉.金属氧化物多层膜晶体硅太阳电池的背场研究[J].太阳能学报,2019,40(1):62-67. |
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作者姓名: | 林文杰 吴伟梁 包杰 刘宗涛 梁宗存 沈辉 |
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作者单位: | 中山大学太阳能系统研究所;广东省光伏技术重点实验室;顺德中山大学太阳能系统研究所 |
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摘 要: | 在n-Si与金属电极之间插入电子选择性材料Ca和Cs_2CO_3、LiF_x,可有效降低接触电阻和界面复合,该文研究Ca和Cs_2CO_3、LiF_x作为背场在氧化钨金属多层膜(WAW)/n-Si太阳电池中对电池性能和稳定性的影响。3种电子选择性材料中,2 nm的LiF_x对电池转换效率的提升最高,稳定性最好。对WAW/n-Si/LiF_x太阳电池R_s的各部分组成进行提取和分析,表明LiF_x/n-Si的接触电阻和LiF_x/Ag接触电阻仅占总串联电阻的0.2%,背场工艺得到最佳的优化。将LiF_x做为背场应用于氧化钒金属多层膜背接触晶体硅(MLBC)太阳电池中,达到19.02%的转换效率,而且用环氧树脂封装的MLBC太阳电池放置在空气中表现出极好的稳定性。
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