| 埋点靶制备工艺研究 |
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| 引用本文： | 张占文,许华,魏胜,吴卫东,余斌,张昭瑞,黄丽珍,罗青,袁玉萍,高党忠,袁光辉,郑永铭,陆晓明. 埋点靶制备工艺研究[J]. 原子能科学技术, 2002, 36(4): 313-315 |
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| 作者姓名： | 张占文 许华 魏胜 吴卫东 余斌 张昭瑞 黄丽珍 罗青 袁玉萍 高党忠 袁光辉 郑永铭 陆晓明 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900 |
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| 基金项目： | 国防预先研究基金资助项目(54.9.2);国家"863"惯性约束聚变领域资助项目(863-416-3-3.3.11) |
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| 摘 要： | ![]()
研究了激光惯性约束聚变（ICF）实验中一种基础基准靶埋点靶的制备工艺过程。埋点靶的制备过程主要包括CH膜的制备、埋点的定位和埋占材料的制备。其中,CH薄膜的制备及其性质是制备埋点靶的关键工艺环节。最后给出了埋点靶的制备工艺流程。
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| 关 键 词： | 埋点靶 制备 CH薄膜 激光惯性约束聚变 |
| 文章编号： | 1000-6931(2002)04/05-0313-03 |
| 修稿时间： | 2001-08-25 |
Study on the Fabrication Technology of the Microspot Targets |
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| Abstract: | ![]()
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