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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
GaInP材料生长及其性质研究
作者姓名:
董建荣
刘祥林
陆大成
汪度
王晓晖
王占国
作者单位:
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室
摘 要:
用X光双晶衍射、Hall和光致发光研究了MOCVD生长的GaxIn1-xP(x=0.476~0.505)外延层.发现Ga组分随V/Ⅲ比的增大略有下降,认为是由于Ga-P键比In-P键强所造成的.77K下电子迁移率达3300cm2/(V·s).Ga0.5In0.5P的载流子浓度随生长温度升高、V/Ⅲ比的增大而降低,提出磷(P)空位(Vp)是自由载流子的一个重要来源.17K下PL峰能和计算的带隙最大相差113meV,这可能与GaInP中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关.
关 键 词:
GaInP MOCVD生长 外延层 半导体材料
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