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金刚石膜介电性能影响因素的研究
引用本文:杨胶溪,李成明,陈广超,吕反修,唐伟忠,佟玉梅. 金刚石膜介电性能影响因素的研究[J]. 绝缘材料, 2004, 37(1): 18-20,26
作者姓名:杨胶溪  李成明  陈广超  吕反修  唐伟忠  佟玉梅
作者单位:北京科技大学,北京,100083;山东科技大学,山东,泰安,271019;北京科技大学,北京,100083
基金项目:国家863项目 (2202AA305508)
摘    要:为研究沉积的金刚石膜介电性能的影响规律。用光谱学方法研究了大面积自支撑金刚石厚膜的介电性能以及加入不同含量的氮气对化学气相沉积(CVD)金刚石膜的介电性能的影响。研究结果表明。随着甲烷浓度(100~200sccm)的增加,CVD金刚石膜的生长速率和非金刚石碳的相对含量增加,从而导致膜的介质损耗(tanδ)增加,造成CVD金刚石膜质量下降。随着沉积温度(1010~1030K)的提高,CVD金刚石膜的介电损耗减小。氮气加入量的增加,CVD金刚石膜的介质损耗增加。

关 键 词:金刚石  自支撑金刚石膜  杂质  介电性能
文章编号:1009-9239(2004)01-0018-04
修稿时间:2003-10-12

Effects of nitrogen addition on dielectric properties of DC arc plasma jet CVD diamond films
YANG Jiao-xi ,,LI Cheng-ming ,CHEN Guang-chao ,LU Fan-xiu ,TANG Wei-zhong ,TONG Yu-mei. Effects of nitrogen addition on dielectric properties of DC arc plasma jet CVD diamond films[J]. Insulating Materials, 2004, 37(1): 18-20,26
Authors:YANG Jiao-xi     LI Cheng-ming   CHEN Guang-chao   LU Fan-xiu   TANG Wei-zhong   TONG Yu-mei
Affiliation:YANG Jiao-xi 1,2,LI Cheng-ming 1,CHEN Guang-chao 1,LU Fan-xiu 1,TANG Wei-zhong 1,TONG Yu-mei 1
Abstract:
Keywords:free standing diamond film  impurities  dielectric property
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