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| 低压高速CMOS/SOI器件和电路的研制 | |
| 引用本文： | 张兴,奚雪梅,王阳元.低压高速CMOS/SOI器件和电路的研制[J].半导体学报,1997,18(2):124-127. |
| 作者姓名： | 张兴 奚雪梅 王阳元 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 采用全耗尽CMOS／SIMOX工艺成功地研制出了沟道长度为0．5μm的可在1．5V和3．0V电源电压下工作的SOI器件和环形振荡器电路．在1．5V和3．0V电源电压时环振的单级门延迟时间分别为840ps和390ps．与体硅器件相比，全耗尽CMOS／SIMOX电路在低压时的速度明显高于体硅器件，亚微米全耗尽CMOS／SOI技术是低压低功耗和超高速集成电路的理想选择． |
| 关 键 词： | CMOS SOI 低压 高速 器件 |
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