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| μPD41256 256k DRAM | |
| 引用本文： | 渡部,吴佑华.μPD41256 256k DRAM[J].微电子学,1985(Z1). |
| 作者姓名： | 渡部 吴佑华 |
| 作者单位： | 日本电气公司 博士 |
| 摘 要： | 一九八○年以来,各公司在国际固体电路会议上发表了256k动态随机存储器(DRAM)样品。大量生产256k是否有可能,首先要推断出它的芯片尺寸。如果采用300密尔的双列直插式封装,长边就为9mm、短边就在5mm以下,最大芯片面积只能是45mm~2左右。另外,还受芯片成本的限制。每块大圆片上的芯片数与芯片面积成反比。决定芯片好坏的缺陷在每块单位面积的缺陷密度相同的情况下则与芯片面积成正比。因 |
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