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多孔硅在高温退火过程中结构变化的研究
引用本文:蔡红,沈鸿烈,黄海宾,唐正霞,鲁林峰,沈剑沧.多孔硅在高温退火过程中结构变化的研究[J].功能材料,2010,41(12).
作者姓名:蔡红  沈鸿烈  黄海宾  唐正霞  鲁林峰  沈剑沧
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目
摘    要:采用电化学腐蚀的方法制备了不同孔径的多孔硅薄膜样品,并在1050℃高温下进行了退火。采用扫描电镜和拉曼光谱对多孔硅退火前后结构的变化进行了观察,根据晶体形核理论分析了孔径变化的机理,并从热力学角度对其微观机制进行了讨论。实验和理论分析的结果均表明,多孔硅的初始孔径存在一个临界值,初始孔径小于此临界值时,孔在高温退火中有收缩的趋势;反之,初始孔径大于此临界值时,孔有变大的趋势。

关 键 词:多孔硅  高温退火  拉曼谱  形核理论

Study on structural changes in porous silicon during high-temperature annealing
CAI Hong,SHEN Hong-lie,HUANG Hai-bin,TANG Zheng-xia,LU Lin-feng,SHEN Jian-cang.Study on structural changes in porous silicon during high-temperature annealing[J].Journal of Functional Materials,2010,41(12).
Authors:CAI Hong  SHEN Hong-lie  HUANG Hai-bin  TANG Zheng-xia  LU Lin-feng  SHEN Jian-cang
Abstract:
Keywords:
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