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半导体光放大器的双向窄脉冲调制与消光比特性分析
引用本文:江琳,李威,李映函,程凌浩.半导体光放大器的双向窄脉冲调制与消光比特性分析[J].激光与光电子学进展,2023(1):107-114.
作者姓名:江琳  李威  李映函  程凌浩
作者单位:暨南大学光子技术研究院
基金项目:国家自然科学基金(61875246);;广州市科技计划(201904020032);
摘    要:半导体光放大器(SOA)能稳定产生高消光比的窄脉冲光,在光纤传感领域得到了广泛应用,但目前大多方案仅采用单向调制的SOA产生脉冲光。为了进一步提高脉冲光的消光比,基于SOA能双向工作的特点提出了一种双向窄脉冲光调制的SOA系统。使用光纤反射镜对SOA单向调制输出的脉冲光进行反射,使反射光重新返回到SOA进行第二次脉冲光调制。实验结果表明:相比单向调制,在低输入功率下,双向调制最大可获得6.18 dB的额外增益;对于输入峰值功率为6 dBm的脉冲光,双向吸收能使泄漏光强度进一步减弱30 dB以上,整体吸收率达到72 dB以上。

关 键 词:光纤光学  脉冲调制  半导体光放大器  消光比  光纤传感
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