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PLZT陶瓷中的光致伏特效应的研究
作者姓名:郑鑫森 郑芝凤
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所 上海,200050,上海,200050,上海,200050,上海,200050
摘    要:研究了PLZT陶瓷中的体光伏特效应。采用通氧热压技术制备PLZT陶瓷。试样被切割加工成4.5×3×1mm~3并沿3mm 方向加以极化,在高于居里点的温度下以较低的电压(~250V/mm)极化。在高压球形汞灯的照射下,所研究的PLZT试样呈现较强的光致伏特效应。在4/56/44PLZT陶瓷中,其光伏电压和电流输出分别为1.2kV/cm(开路态)和0.9μA/cm~2(闭路态)。实验表明 PLZT 的光伏电流与光照强度有关而与外接电阻负载无关(在0~10~8Ω范围内);外加偏置场对极化前后的4/56/44PLZT陶瓷的光伏特性的影响的实验表明:受光照射后产生的光致激发载流子在一有效驱动电场的作用下作定向运动,从而对外表现出光伏效应的行为特征,这一有效场为材料的剩余极化场;外加偏置电场可诱发或加强材料的光伏电压和电流的输出。

关 键 词:PLZT陶瓷 光致伏特效应 电场 性能
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