| 退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响 |
| |
| 引用本文： | 蒋百灵,李洪涛,蔡敏利,苗启林,杨波.退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响[J].金属热处理,2010,35(6). |
| |
| 作者姓名： | 蒋百灵 李洪涛 蔡敏利 苗启林 杨波 |
| |
| 作者单位： | 西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安,710048 |
| |
| 基金项目： | 陕西省教育厅科学技术研究计划，西安理工大学优秀博士学位论文研究基金 |
| |
| 摘 要： | 基于金属诱导晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al-Si、Cu-Si和Ni-Si薄膜.采用真空退火炉和X射线衍射仪于不同温度下对样品进行了退火试验并分析了退火后薄膜物相结构的变化规律.结果表明,Al诱导SAi薄膜晶化的效果最好,Cu次之,Ni诱导Si薄膜晶化的效果较差;AI可在退火温度为400℃时诱导Si薄膜晶化,且随退火温度的升高Si的平均晶粒尺寸增大;Cu-Si薄膜的内应力较大和Ni-Si薄膜中Ni/Si界面处难以形成NiSi2是Cu、Ni诱导Si薄膜晶化效果较差的主要原因.
|
| 关 键 词： | 硅薄膜 退火 晶化过程 扩散 |
Effect of annealing temperature on crystallization process of Al, Cu, Ni induced Si films |
| |
| JIANG Bai-ling,LI Hong-tao,CAI Min-li,MIAO Qi-lin,YANG Bo.Effect of annealing temperature on crystallization process of Al, Cu, Ni induced Si films[J].Heat Treatment of Metals,2010,35(6). |
| |
| Authors: | JIANG Bai-ling LI Hong-tao CAI Min-li MIAO Qi-lin YANG Bo |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
