| 一种用于ADC模拟集成电路设计和分析的MOS晶体管模型 |
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| 引用本文： | 殷湛,郭立,杨吉庆.一种用于ADC模拟集成电路设计和分析的MOS晶体管模型[J].计算机工程与科学,2006,28(8):105-107. |
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| 作者姓名： | 殷湛 郭立 杨吉庆 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学电子科学与技术系,安徽,合肥,230026 |
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| 摘 要： | 本文提出了一个适合模拟集成电路设计和分析的金属氧化物场效应晶体管模型。它以晶体管反型系数if为基础，表达式具有简洁的形式和良好的精度，并通过一个ADC电路中经常出现的简单共源极放大器的设计过程和仿真结果的对比分析，解释说明这个模型的具体应用。
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| 关 键 词： | 金属氧化物场效应晶体管 跨导 反型系数 模数转换器 |
| 文章编号： | 1007-130X(2006)08-0105-03 |
| 修稿时间： | 2005年1月25日 |
A MOS Transistor Model Suitable for the Design and Analysis of ADC Analog Integrated Circuits |
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| YIN Zhan,GUO Li,YANG Ji-qing.A MOS Transistor Model Suitable for the Design and Analysis of ADC Analog Integrated Circuits[J].Computer Engineering & Science,2006,28(8):105-107. |
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| Authors: | YIN Zhan GUO Li YANG Ji-qing |
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| Abstract: | This paper presents a MOS transistor model, which can be applied to analog integrated circuit design and analysis conveniently. The brief expressions with good precision are based on the inversion coefficient i_f. Finally the design results and simulations of a common-source amplifier in ADC circuits illustrate the model's applications. |
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| Keywords: | MOSFET trans-conductance inversion coefficient ADC |
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