| AlInAs氧化物限制1.3μm低阈值边发射激光器 |
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| 引用本文： | 刘志宏,王圩,王书荣,赵玲娟,朱洪亮,周帆,王鲁峰,丁颖. AlInAs氧化物限制1.3μm低阈值边发射激光器[J]. 半导体学报, 2004, 25(6): 620-625 |
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| 作者姓名： | 刘志宏 王圩 王书荣 赵玲娟 朱洪亮 周帆 王鲁峰 丁颖 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子研发中心 北京100083(刘志宏，王圩，王书荣，赵玲娟，朱洪亮，周帆，王鲁峰)，中国科学院半导体研究所光电子研发中心 北京100083(丁颖) |
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| 摘 要： | 研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的 1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器 .有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层 .这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制 .当电流通道为 5 μm宽时 ,获得了 12 9mA的阈值电流和 0 4 7W /A的斜率效率 .与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比 ,这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了 31 7% ,斜率效率稍微有所提高 .低阈值和高效率的特性表明 ,氧化AlInAs波导层能够提供良好的侧向电流限制 .这种AlInAs氧化物限制的激光器垂直方向的远场半高全宽角为36 1° ,而水平方向的
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| 关 键 词： | AlInAs氧化物限制 脊波导 边发射 激光器 |
A 1.3μm Low-Threshold Edge-Emitting Laser with AlInAs-Oxide Confinement Layers |
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| Liu Zhihong,Wang Wei,Wang Shurong,Zhao Lingjuan,Zhu Hongliang,Zhou Fan,Wang Lufeng,Ding Ying. A 1.3μm Low-Threshold Edge-Emitting Laser with AlInAs-Oxide Confinement Layers[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(6): 620-625 |
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| Authors: | Liu Zhihong Wang Wei Wang Shurong Zhao Lingjuan Zhu Hongliang Zhou Fan Wang Lufeng Ding Ying |
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| Keywords: | AlInAs-oxide confinement RWG edge emitting laser |
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