| 纳米氧化铋粉体的制备及对ZnO压敏电阻性能的影响 |
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| 引用本文： | 禹争光,杨邦朝,敬履伟.纳米氧化铋粉体的制备及对ZnO压敏电阻性能的影响[J].硅酸盐学报,2003,31(12):1184-1187. |
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| 作者姓名： | 禹争光 杨邦朝 敬履伟 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054
2. 成都铁二局兴达电子电器厂,成都,610036 |
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| 摘 要： | 采用直流电弧等离子法可以制备出包含有a和β相,尺寸约为70 nm的纳米氧化铋粉体,收率可达30％。利用制备的纳米氧化铋粉体替代微米级材料制备氧化锌压敏陶瓷后,研究了其对器件电学性能和陶瓷微观结构的影响。实验发现:纳米氧化铋使用量为1.6％摩尔分数时其压敏电压梯度和通流值分别为185 V/mm和4 700 A/cm2,而达到相同值所需微米氧化铋用量则分别为1.9％和1.85％。可见,如采用纳米氧化铋替代微米氧化铋可以减少用量10％～20％,而达到相同的电性能。
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| 关 键 词： | 直流电弧等离子法 氧化锌压敏陶瓷 纳米氧化铋 |
| 文章编号： | 0454-5648(2003)12-1184-04 |
| 修稿时间： | 2003年6月9日 |
STUDY ON PREPARATION OF NANOMETER Bi2O3 AND ITS EFFECT ON THE PROPERTIES OF ZnO VARISTOR |
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| YU Zheng guang,YANG Bangchao,JING Luwei.STUDY ON PREPARATION OF NANOMETER Bi2O3 AND ITS EFFECT ON THE PROPERTIES OF ZnO VARISTOR[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2003,31(12):1184-1187. |
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| Authors: | YU Zheng guang YANG Bangchao JING Luwei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | direct current arc plasma zinc oxide varistor nano-size bismuth oxide |
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