| 分子束外延中波红外碲镉汞原位p-on-n技术研究 |
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| 引用本文： | 覃钢, 李东升, 李雄军, 李艳辉, 王向前, 杨彦, 铁筱莹, 左大凡, 薄俊祥. 分子束外延中波红外碲镉汞原位p-on-n技术研究[J]. 红外技术, 2016, 38(10): 820-824. |
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| 作者姓名： | 覃钢 李东升 李雄军 李艳辉 王向前 杨彦 铁筱莹 左大凡 薄俊祥 |
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| 作者单位： | 1.昆明物理研究所 |
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| 摘 要： | 研究分析了采用MBE技术外延中波碲镉汞薄膜原位p-on-n材料生长结构及掺杂浓度。掌握了MBE碲镉汞原位p-on-n薄膜材料的生长温度、掺杂浓度和p-n结界面的控制技术，研究了原位p-on-n材料杂质的电学激活退火技术。利用傅里叶变换红外透过测试拟合得到了材料的组分、厚度均匀性，利用X-ray双晶衍射测试结果分析了晶体质量，并统计了材料的EPD值。利用SIMS测试分析了材料中杂质分布状况和浓度，对台面器件I-V特性曲线进行了测试分析。
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| 关 键 词： | 分子束外延 碲镉汞 原位p-on-n I-V曲线 |
Research on the Technique of in-situ p-on-n MWIR-MCT by MBE |
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| QIN Gang, LI Dongsheng, LI Xiongjun, LI Yanhui, WANG Xiangqian, YANG Yan, TIE Xiaoying, ZUO Dafan, BO Junxiang. Research on the Technique of in-situ p-on-n MWIR-MCT by MBE[J]. Infrared Technology , 2016, 38(10): 820-824. |
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| Authors: | QIN Gang LI Dongsheng LI Xiongjun LI Yanhui WANG Xiangqian YANG Yan TIE Xiaoying ZUO Dafan BO Junxiang |
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