| Cu(In,Ga)Se2集成电池吸收层的三步共蒸工艺 |
| |
| 引用本文： | 张力,孙云,何青,徐传明,肖建平,薛玉明,李长健.Cu(In,Ga)Se2集成电池吸收层的三步共蒸工艺[J].太阳能学报,2006,27(9):895-899. |
| |
| 作者姓名： | 张力 孙云 何青 徐传明 肖建平 薛玉明 李长健 |
| |
| 作者单位： | 南开大学光电子研究所,天津,300071 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863)(20041AA513020) |
| |
| 摘 要： | 利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0．7)Ga_(0．3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生长温度分别为300、340和400℃时,所制备的集成组件的转换效率对应为4．23%、5．16%和7．03%(测试条件为：AM1．5,1000W/cm~2)。其组件效率的提高,归因于在预置层生长温度为400℃时所制备的CuIn_(0．7)Ga_(0．3)Se_2薄膜具有良好的结构特性和组份均匀性。
|
| 关 键 词： | cuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜 预置层(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se_3 集成组件 |
| 文章编号： | 0254-0096（2006）-09-0895-05 |
| 收稿时间： | 2005-06-09 |
| 修稿时间： | 2005-06-09 |
STUDY OF THREE-STAGE CO-EVAPORATION PROCESS OF Cu(In,Ga)Se2 FILMS FOR THE INTEGRATED MODULE APPLICATION |
| |
| Zhang Li,Sun Yun,He Qing,Xu Chuanming,Xiao Jianping,Xue Yuming,Li Changjian.STUDY OF THREE-STAGE CO-EVAPORATION PROCESS OF Cu(In,Ga)Se2 FILMS FOR THE INTEGRATED MODULE APPLICATION[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2006,27(9):895-899. |
| |
| Authors: | Zhang Li Sun Yun He Qing Xu Chuanming Xiao Jianping Xue Yuming Li Changjian |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | CuIn_(0 7)Ga_(0 3)Se_2 thin film precursor(In_(0 7)Ga_(0 3))_2Se)3 integrated modules |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
