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Cu(In,Ga)Se2集成电池吸收层的三步共蒸工艺
引用本文:张力,孙云,何青,徐传明,肖建平,薛玉明,李长健. Cu(In,Ga)Se2集成电池吸收层的三步共蒸工艺[J]. 太阳能学报, 2006, 27(9): 895-899
作者姓名:张力  孙云  何青  徐传明  肖建平  薛玉明  李长健
作者单位:南开大学光电子研究所,天津,300071
基金项目:国家高技术研究发展计划(863)(20041AA513020)
摘    要:利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生长温度分别为300、340和400℃时,所制备的集成组件的转换效率对应为4.23%、5.16%和7.03%(测试条件为:AM1.5,1000W/cm~2)。其组件效率的提高,归因于在预置层生长温度为400℃时所制备的CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜具有良好的结构特性和组份均匀性。

关 键 词:cuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜  预置层(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se_3  集成组件
文章编号:0254-0096(2006)-09-0895-05
收稿时间:2005-06-09
修稿时间:2005-06-09

STUDY OF THREE-STAGE CO-EVAPORATION PROCESS OF Cu(In,Ga)Se2 FILMS FOR THE INTEGRATED MODULE APPLICATION
Zhang Li,Sun Yun,He Qing,Xu Chuanming,Xiao Jianping,Xue Yuming,Li Changjian. STUDY OF THREE-STAGE CO-EVAPORATION PROCESS OF Cu(In,Ga)Se2 FILMS FOR THE INTEGRATED MODULE APPLICATION[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 2006, 27(9): 895-899
Authors:Zhang Li  Sun Yun  He Qing  Xu Chuanming  Xiao Jianping  Xue Yuming  Li Changjian
Abstract:
Keywords:CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2 thin film  precursor(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se)3  integrated modules
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