| ECR-MOCVD方法GaN单晶薄膜生长热力学分析 |
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| 引用本文： | 王三胜,顾彪,徐茵. ECR-MOCVD方法GaN单晶薄膜生长热力学分析[J]. 高技术通讯, 2002, 12(10): 70-73,84 |
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| 作者姓名： | 王三胜 顾彪 徐茵 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (699760 0 8)资助项目。 |
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| 摘 要： | 基于热力学平衡和化学平衡理论，针对电子回旋共振金属有机化学气相沉积(ECR-MOCVD)系统生长GaN的特点，给出了化学平衡模型和理论分析结果。计算得出了六方GaN的生长驱动力△P与生长条件(Ⅲ族源输入分压PGa^0、V／Ⅲ比、生长温度)的关系。发现在600—900℃内GaN沉积生长速率由Ⅲ族源气体的质量输运所控制。计算得到了六方GaN生长的决定因素和相图。理论计算和实验结果通过比较发现是吻合的。
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| 关 键 词： | GaN ECR-MOCVD 热力学分析 生长相图 |
Thermodynamic Analysis of GaN Singlecrystal Film Growth by EC R-MOCVD |
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| Wang Sansheng,Gu Biao,Xu Yin. Thermodynamic Analysis of GaN Singlecrystal Film Growth by EC R-MOCVD[J]. High Technology Letters, 2002, 12(10): 70-73,84 |
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| Authors: | Wang Sansheng Gu Biao Xu Yin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN ECR-MOCVD Thermodynamic analysis Growth phase diagram |
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