| 氮气压对自蔓延高温合成Si3N4的影响 |
| |
| 引用本文： | 王华彬,韩杰才,杜善义. 氮气压对自蔓延高温合成Si3N4的影响[J]. 硅酸盐学报, 2000, 28(2): 190-193 |
| |
| 作者姓名： | 王华彬 韩杰才 杜善义 |
| |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学复合材料研究所,哈尔滨,150001 |
| |
| 摘 要： | 主要研究了氮气压力对自蔓延高温合成Ｓｉ３Ｎ４的影响，并通过放气法详细地研究了β－Ｓｉ３Ｎ４的生长机理，结果表明：随着氮气压的增加和燃烧温度的提高，促进了Ｓｉ的蒸发，从而致使产物中Ｓｉ３Ｎ４的α／β相的比例增加，通过放气法实验，观察到了棒状Ｓｉ３Ｎ４以气－液－固（ＶＬＳ）机制生长的中间形态，Ｘ射线能谱分析表明β－Ｓｉ３Ｎ４以气－液－固（ＶＬＳ）机制生长所需的液相依赖于反应物中的含氧杂质，而不是金属杂
|
| 关 键 词： | 自蔓延燃烧合成 氮化硅 氮气压力 高温结构陶瓷 |
| 修稿时间： | 1999-06-11 |
THE EFFECT OF NITROGEN PRESSURE ON SELF-PROPAGATING HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS (SHS) OF Si3N4 |
| |
| Wang Huabin,Han Jiecai,Du Shanyi. THE EFFECT OF NITROGEN PRESSURE ON SELF-PROPAGATING HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS (SHS) OF Si3N4[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2000, 28(2): 190-193 |
| |
| Authors: | Wang Huabin Han Jiecai Du Shanyi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | self_propagating high-temperature synthesis silicon nitride growth mechanism |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
