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| 硅片表面微粗糙度的研究进展 | |
| 引用本文： | 储佳,马向阳,杨德仁,阙端麟.硅片表面微粗糙度的研究进展[J].半导体技术,2000,25(5):22-24. |
| 作者姓名： | 储佳 马向阳 杨德仁 阙端麟 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料科学国家重点实验室,杭州 310027 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;69926025; |
| 摘 要： | 报道了用氦离子注入智能肃离形成ＳＯＩ结构硅片的新技术，介绍了这种技术的工艺和用剖面透射电镜研究的结果。氦离子用等离子体浸没离子注入技术注入硅片中。 |
| 关 键 词： | 智能剥离 等离子体 浸没 离子注入 |
| 文章编号： | 1003-353(2000)05-0022-03 |
Development on the Microroughness of Polished Silicon Wafer |
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