硅片表面微粗糙度的研究进展 |
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引用本文: | 储佳,马向阳,杨德仁,阙端麟. 硅片表面微粗糙度的研究进展[J]. 半导体技术, 2000, 25(5): 22-24 |
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作者姓名: | 储佳 马向阳 杨德仁 阙端麟 |
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作者单位: | 浙江大学硅材料科学国家重点实验室,杭州 310027 |
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基金项目: | 国家自然科学基金;69926025; |
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摘 要: | 报道了用氦离子注入智能肃离形成SOI结构硅片的新技术,介绍了这种技术的工艺和用剖面透射电镜研究的结果。氦离子用等离子体浸没离子注入技术注入硅片中。
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关 键 词: | 智能剥离 等离子体 浸没 离子注入 |
文章编号: | 1003-353(2000)05-0022-03 |
Development on the Microroughness of Polished Silicon Wafer |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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