| 工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 刘学建,金承钰,黄智勇,蒲锡鹏,黄莉萍.工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响[J].硅酸盐学报,2003,31(10):986-990. |
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| 作者姓名： | 刘学建 金承钰 黄智勇 蒲锡鹏 黄莉萍 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
2. 上海交通大学,上海,200030 |
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| 基金项目： | 上海市科技发展基金(00JC14015) |
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| 摘 要： | 以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。
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| 关 键 词： | 氮化硅薄膜 生长动力学 性质 工艺 |
| 文章编号： | 0454-5648(2003)10-0986-05 |
| 修稿时间： | 2003年3月17日 |
EFFECT OF PROCESSING FACTORS ON LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF SILICON NITRIDE FILMS |
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| LIU Xuejian,JIN Chengyu,HUANG Zhiyong,PU Xipeng,HUANG Liping.EFFECT OF PROCESSING FACTORS ON LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF SILICON NITRIDE FILMS[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2003,31(10):986-990. |
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| Authors: | LIU Xuejian JIN Chengyu HUANG Zhiyong PU Xipeng HUANG Liping |
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| Keywords: | silicon nitride films growth kinetics properties processing |
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