| 纳米多孔硅含能芯片性能研究 |
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| 引用本文： | 薛艳,卢斌,解瑞珍,任小明,杜云峰.纳米多孔硅含能芯片性能研究[J].火工品,2008(6). |
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| 作者姓名： | 薛艳 卢斌 解瑞珍 任小明 杜云峰 |
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| 作者单位： | 中国兵器工业第213研究所,应用物理化学国家级重点实验室,陕西,西安,710061 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用MEMS（Micro-electromechanical Systems）工艺在硅片上加工耐HF酸掩模窗口,结合电化学腐蚀法制备出多孔硅阵列。通过扫描电镜和比表面积测试仪对多孔硅进行了性能表征,结果表明：多孔硅具有均匀的纳米尺度孔径、较大的比表面积以及良好的海绵体的结构特性。通过原位形成多孔硅含能芯片,进行了热发火和机械撞击发火试验,结果表明：在没有壳体限制条件时,纳米多孔硅含能芯片在热和机械能刺激下发生强烈点火或者爆炸。
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| 关 键 词： | 多孔硅含能芯片 MEMS 表征 点火 |
Study on the Property of Nano-porous Silicon/Oxidant Systems |
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| XUE Yan,LU Bin,XIE Rui-zhen,REN Xiao-ming,DU Yun-feng.Study on the Property of Nano-porous Silicon/Oxidant Systems[J].Initiators & Pyrotechnics,2008(6). |
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| Authors: | XUE Yan LU Bin XIE Rui-zhen REN Xiao-ming DU Yun-feng |
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| Keywords: | MEMS |
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