|
|||||
|
|
| 信息领域中的主要新型元器件(下) | |
| 作者姓名： | 刘忠立 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | ２）．异质结ＩＭＰＡＴＴ器件 ＩＭＰＡＴＴ器件输出功率比ＧＵＮＮ器件高很多，但因雪崩倍增过程带来的固有噪声很高，从而限制了ＩＭＰＡＴＴ器件在很多领域的应用。ＩＭＰＡＴＴ器件要进一步提高输出功率，必须从改进效率入手，一方面要使雪崩区的宽度占整个耗尽区的比例要小，同时要寻找高化率阈值高的材料，使雪崩电压ＶＡ下降。基于这种想法，应该采用异质结结构，即用一种窄带隙的材料，（例如ＩｎＰ，其带隙为１．５ｅＶ），作为漂移区，由于ＩｎＧａＡｓ的离化阈值低而离化率比ＩｎＰ高很多，可以实现低雪崩阈值ＶＡ，降低阈值电… |
| 关 键 词： | 电子元器件 二极管 异质结 三端器件 信息产业 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |