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杂志ISSN号
MOSFET栅氧化过程界面分凝行为的二维工艺仿真
作者姓名:
陈慧凯 邢建平
摘 要:
使用TSUPREM-4二维集成电路工艺仿真系统对P-MOS栅氧化过程中杂质分凝行为进行了计算机仿真。以数值方式和绘图方式定量地描述了杂质的分凝行为,提出了调节氧化步序和氧化模式来抑制杂质分凝效应的方法。
关 键 词:
MOSFET 栅氧化过程 界面分凝 二维工艺仿真 计算机辅助设计 计算机模拟 集成电路
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