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电化学选择性刻蚀Cu/Ni牺牲层技术的研究
引用本文:李永海,丁桂甫,张永华,曹莹.电化学选择性刻蚀Cu/Ni牺牲层技术的研究[J].传感器与微系统,2005,24(4):86-88.
作者姓名:李永海  丁桂甫  张永华  曹莹
作者单位:上海交通大学,微纳米技术研究院,上海,200030
基金项目:中国科学院资助项目 , 国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:牺牲层腐蚀技术结合MEMS技术是制作三维可动微机构的一个重要加工手段。采用电位控制的电化学释放牺牲层技术,对2种不同刻蚀液下的Cu/Ni叠层结构分别进行了电化学腐蚀,并测量了其伏安特性,结果表明:电位控制的电化学腐蚀能很好地进行有选择性刻蚀Cu/Ni牺牲层。

关 键 词:电化学腐蚀  选择性刻蚀  牺牲层技术  电位控制
文章编号:1000-9787(2005)04-0086-03
修稿时间:2004年10月20日

Researches on selective electrochemical-etching for Cu/Ni sacrificial layers
LI Yong-hai,DING Gui-fu,ZHANG Yong-hua,CAO Ying.Researches on selective electrochemical-etching for Cu/Ni sacrificial layers[J].Transducer and Microsystem Technology,2005,24(4):86-88.
Authors:LI Yong-hai  DING Gui-fu  ZHANG Yong-hua  CAO Ying
Abstract:Wet chemical etching of sacrificial layers plays an important part in fabricating movable tree-dimensional micromachines by combination with MEMS technologies.The Cu/Ni laminated structure is etched by electrochemical etching in two varied etching solutions,and its I-V charactistic is measured.The results indicate that the electrochemical etching by potential control can etch Cu/Ni sacrificial layers with selection.
Keywords:electrochemical-etching  selective etching  technology of sacrificial layer  potential control
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