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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
In Sb MOS电容器高频C-V特性的测量及其界面态密度的推算
作者姓名:
谢伯兴
林猷慎
唐家钿
作者单位:
昆明物理研究所(谢伯兴,林猷慎),昆明物理研究所(唐家钿)
摘 要:
本实验首先测量了N型、(111)面、掺Te2×10~(15)cm~(-3)InSb晶片的机械损伤层,然后用阳极氧化等方法将其做成MOS结构,测量和分析其高频C-V特性,并采用中心偏压加窄摆幅电压的来回慢扫测得无滞回效应的C-V曲线。最后,用Nakagawa式算出界面态密度为2×10~(12)cm~(-2)eV~(-1)。
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