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| 生长速率对反应蒸发制备ITO薄膜光电性能的影响 | |
| 引用本文： | 李林娜,孙建,薛俊明,李养贤,赵颖,耿新华.生长速率对反应蒸发制备ITO薄膜光电性能的影响[J].光电子．激光,2007,18(1):24-26,29. |
| 作者姓名： | 李林娜 孙建 薛俊明 李养贤 赵颖 耿新华 |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071 2. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071 3. 河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 天津市科技发展基金 , 天津市自然科学基金 |
| 摘 要： | 用电阻加热反应蒸发的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,测试了膜的电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论生长速率对薄膜光电性能的影响.并在衬底温度为160 ℃、反应压强为1.4×10-1 Pa的条件下,制得可见光范围平均透过率为93%、电阻率为4.7×10-4 Ω·cm的ITO透明导电薄膜. |
| 关 键 词： | 氧化铟锡(ITO)薄膜 电阻率 载流子浓度 迁移率 透过率 |
| 文章编号： | 1005-0086（2007）01-0024-03 |
| 收稿时间： | 2006/3/31 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2006-03-312006-06-14 |
Preparation and Properties of Indium Tin Oxide Films Deposited by Reactive Evaporation at Different Deposited Rate |
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| LI Lin-n,SUN Jian,XUE Jun-ming,LI Yang-xian,ZHAO Ying,GENG Xin-hua.Preparation and Properties of Indium Tin Oxide Films Deposited by Reactive Evaporation at Different Deposited Rate[J].Journal of Optoelectronics·laser,2007,18(1):24-26,29. | |
| Authors: | LI Lin-n SUN Jian XUE Jun-ming LI Yang-xian ZHAO Ying GENG Xin-hua |
| Abstract: | |
| Keywords: | indium-tin oxide(ITO) films electrical resistivity carrier concentration Hall mobility optical transmittance |
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