| 在-55~125℃范围内误差小于±0.3℃硅基温度传感器 |
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| 引用本文： | 冯晓星,王新安,封君,葛彬杰,张兴.在-55~125℃范围内误差小于±0.3℃硅基温度传感器[J].半导体学报,2007,28(12):1972-1978. |
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| 作者姓名： | 冯晓星 王新安 封君 葛彬杰 张兴 |
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| 作者单位： | 北京大学深圳研究生院 集成微系统重点实验室，深圳 518055;北京大学深圳研究生院 集成微系统重点实验室，深圳 518055;北京大学深圳研究生院 集成微系统重点实验室，深圳 518055;北京大学深圳研究生院 集成微系统重点实验室，深圳 518055;北京大学深圳研究生院 集成微系统重点实验室，深圳 518055 |
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| 摘 要： | 提出了基于寄生参数自校正的高精度温度传感器,并给出了基于CSMC 0.5μm混合信号CMOS工艺的仿真结果.利用CMOS工艺衬底pnp三极管的发射区-基区pn结作为温度传感单元,提出了易于开关-电容电路实现的寄生电阻校正方法,消除了基区电阻非线性对温度测量的影响,提高了测量精度.电路仿真结果显示,系统测温误差在-55℃～125℃范围内仅为±0.3℃.
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| 关 键 词： | 温度传感器 误差自校准 基区电阻消除 CMOS衬底三极管 范围 测温误差 硅基 温度传感器 Temperature Sensor 系统 显示 电路实现 测量精度 影响 温度测量 非线性 基区电阻 校正方法 寄生电阻 电容 开关 单元 发射区 三极管 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)12-1972-07 |
| 修稿时间： | 8/11/2007 5:17:07 PM |
Silicon Temperature Sensor with Inaccuracy of ±0.3℃ from -55 to 125℃ |
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| Feng Xiaoxing,Wang Xin''''an,Feng Jun,Ge Binjie,Zhang Xing.Silicon Temperature Sensor with Inaccuracy of ±0.3℃ from -55 to 125℃[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(12):1972-1978. |
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| Authors: | Feng Xiaoxing Wang Xin'an Feng Jun Ge Binjie Zhang Xing |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Integrated Microsystem,Shenzhen Graduate School of Peking University,Shenzhen 518055,China;Key Laboratory of Integrated Microsystem,Shenzhen Graduate School of Peking University,Shenzhen 518055,China;Key Laboratory of Integrated Microsystem,Shenzhen Graduate School of Peking University,Shenzhen 518055,China;Key Laboratory of Integrated Microsystem,Shenzhen Graduate School of Peking University,Shenzhen 518055,China;Key Laboratory of Integrated Microsystem,Shenzhen Graduate School of Peking University,Shenzhen 518055,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | temperature sensor error auto-correction base resistor cancellation CMOS substrate transistor |
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