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5~6.5千兆赫砷化镓场效应晶体管放大器
引用本文:
张荃.5~6.5千兆赫砷化镓场效应晶体管放大器[J].微纳电子技术,1979(Z1).
作者姓名:
张荃
摘 要:
本文介绍5~6.5千兆赫带宽的微波低噪声GaAs场效应晶管放大器。采用聚四氟乙烯玻璃纤维板作衬底。三级放大器的增益为20分贝,6千兆赫下测得的噪声系数最好为4.6分贝,带内平坦度在±1分贝以内。本文给出了放大器结构设计和测试结果。
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