直流电场对LiNbO_3晶体亚临界裂纹扩展的影响

人们对玻璃、Al_2O_3、Si_3N_4、SiC 等典型材料以及 TiBaO_3和 PZT 等功能陶瓷的亚临界裂纹扩展行为进行了研究,并验证了裂纹扩展速率 V 和应力强度因子 K_1。之间关系式V=AK_I~n的适用性(A为实验常数)。本文以 Li NbO_3晶体为对象,研究了晶体学取向、极化因素、直流电场强度和取向对其亚临界裂纹扩展行为的影响。