| MOCVD外延生长高阻GaN薄膜材料 |
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| 引用本文： | 方测宝,王晓亮,刘超,胡国新,王军喜,李建平,王翠梅,李成基,曾一平,李晋闽. MOCVD外延生长高阻GaN薄膜材料[J]. 半导体学报, 2005, 26(z1): 91-93 |
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| 作者姓名： | 方测宝 王晓亮 刘超 胡国新 王军喜 李建平 王翠梅 李成基 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用MOCVD技术在非有意掺杂的条件下,在C面蓝宝石衬底上制备出了高阻的GaN单晶薄膜样品.用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析样品显示GaN外延膜的表面十分平整,表面粗糙度仅有～0.3nm.样品的X射线双晶衍射摇摆曲线(0002)峰的半峰宽为5.22',证实所生长的GaN外延层具有较好的结晶质量.变温Hall测量发现样品的室温电阻率高达6.6×108Ω·cm,250℃下的电阻率约为106Ω·cm.
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| 关 键 词： | MOCVD GaN 电阻率 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0091-03 |
| 修稿时间： | 2004-11-12 |
High Resistivity GaN Film Grown by MOCVD |
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| Fang Cebao,Wang Xiaoliang,Liu Chao,Hu Guoxin,Wang Junxi,Li Jianping,Wang Cuimei,Li Chengji,Zeng Yiping,Li Jinmin. High Resistivity GaN Film Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(z1): 91-93 |
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| Authors: | Fang Cebao Wang Xiaoliang Liu Chao Hu Guoxin Wang Junxi Li Jianping Wang Cuimei Li Chengji Zeng Yiping Li Jinmin |
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